Robert Noyce

Noyce tok en doktorgrad i faste stoffers fysikk ved MIT i 1953. Alt fra studiedagene viste han en særlig interesse for transistorteknologi. I 1956 ble han hentet av William Shockley, en av transistorens oppfinnere, til hans halvlederlaboratorier i Palo Alto, California. Allerede året etter brøt imidlertid Noyce og flere andre ansatte med Shockley og dannet Fairchild Semiconductor Corporation.

Noyce utviklet teknologien bak integrerte kretser parallelt med Jack Kilby ved Texas Instruments, og selskapene deres patenterte ulike aspekter ved design og framstilling av integrerte kretser. Prosessen som påfører linjer av ledende materiale mellom komponentene på halvlederbrikken, tilskrives Noyce.

I 1968 dannet Noyce sammen med kollega Gordon Moore (kjent for Moores lov) selskapet Intel Corporation, som raskt ble verdens ledende produsent av mikroprosessorer. Noyce ledet Intel til 1978, da han lot seg velge som den første formannen for bransjeorganisasjonen Semiconductor Industry Association (SIA). Foranledningen til dannelsen av SIA var bekymringen blant amerikanske mikroelektronikkprodusenter for den voksende konkurransen fra oversjøiske lavkostland. I 1988 ble han den første president i Sematech, et offentlig-privat forsknings- og utviklingsprogram innenfor mikroelektronikk i USA.

• integrerte kretser