Hiroshi Amano

Hiroshi Amano

Nome orixinal	(ja) 天野浩
Biografía
Nacemento	11 de setembro de 1960 (64 anos) Hamamatsu, Xapón
Educación	Universidade de Nagoia (–1988) Shizuoka Prefectural Hamamatsu Nishi High School (en) Hamamatsu City Shijimizuka Junior High School (en)
Director de tese	Osamu Akasaki
Actividade
Campo de traballo	Físico
Ocupación	físico, profesor universitario, enxeñeiro
Empregador	Universidade de Nagoia, catedrático (2010–2015) Meijo University (en) (2002–2010) Meijo University (en) (1992–1998) Universidade de Nagoia, research associate (en) (1988–1992)
Profesores	Osamu Akasaki
Premios
(2014)  Premio Nobel de Física (2014)  Persoa de Mérito Cultural (2014)  Orde da Cultura  doutor honoris causa pola Universidade de Padua

Hiroshi Amano (天野 浩, Amano Hiroshi), nado en Hamamatsu, o 11 de setembro de 1960, é un físico, enxeñeiro e inventor xaponés especializado no eido da tecnoloxía dos semicondutores. Polo seu traballo foi galardoado co Premio Nobel de Física de 2014, xunto con Isamu Akasaki e Shuji Nakamura pola "invención de diodos emisores de luz azuis eficientes permitiron fontes de luz branca brillantes e que aforran enerxía".

Publicacións escollidas

• Amano, H.; Sawaki, N.; Akasaki, I.; Toyoda, Y. (1986-02-03). "Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer". Applied Physics Letters (AIP Publishing) 48 (5): 353–355. Bibcode:1986ApPhL..48..353A. ISSN 0003-6951. doi:10.1063/1.96549. 
• Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu; Kozawa, Takahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Sawaki, Nobuhiko; Ikeda, Kousuke; Ishii, Yoshikazu (1988). "Electron beam effects on blue luminescence of zinc-doped GaN". Journal of Luminescence (Elsevier BV). 40-41: 121–122. Bibcode:1988JLum...40..121A. ISSN 0022-2313. doi:10.1016/0022-2313(88)90117-2. 
• Amano, Hiroshi; Kito, Masahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu (1989-12-20). "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)". Japanese Journal of Applied Physics (Japan Society of Applied Physics) 28 (Part 2, No. 12): L2112–L2114. Bibcode:1989JaJAP..28L2112A. ISSN 0021-4922. doi:10.1143/jjap.28.l2112. 
• Murakami, Hiroshi; Asahi, Tsunemori; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa; Sawaki, Nobuhiko; Akasaki, Isamu (1991). "Growth of Si-doped Al_xGa_1–xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy". Journal of Crystal Growth (Elsevier BV) 115 (1–4): 648–651. Bibcode:1991JCrGr.115..648M. ISSN 0022-0248. doi:10.1016/0022-0248(91)90820-u. 
• Itoh, Kenji; Kawamoto, Takeshi; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu (1991-09-15). "Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N Layered Structures". Japanese Journal of Applied Physics (Japan Society of Applied Physics) 30 (Part 1, No. 9A): 1924–1927. Bibcode:1991JaJAP..30.1924I. ISSN 0021-4922. doi:10.1143/jjap.30.1924. 
• I. Akasaki, H. Amano, K. Itoh, N. Koide & K. Manabe, Int. Phys. Conf. Ser. 129, 851 (1992).
• Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi; Sota, Shigetoshi; Sakai, Hiromitsu; Tanaka, Toshiyuki; Koike, Masayoshi (1995-11-01). "Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device". Japanese Journal of Applied Physics (Japan Society of Applied Physics) 34 (11B): L1517. ISSN 0021-4922. doi:10.7567/jjap.34.l1517. 

Véxase tamén

Ligazóns externas

• Ficha en Nobelprize.org (en inglés)