Алфьоров Жорес Іванович
АЛФЬО́РОВ Жорес Іванович (15. 03. 1930, м. Вітебськ, Білорусія – 01. 03. 2019, С.-Петербург) – фізик. Академік РАН (1979), іноз. чл. НАНУ (2000). Ленін. премія (1972), Державна премія СРСР, медаль Баллантайна Інституту ім. Б. Франкліна (США), премія Хьюлета-Паккарда Європ. фіз. товариства, Нобелів. премія з фізики (2000). Орден князя Ярослава Мудрого 5-го ступ. (2003). Закін. Ленінгр. електротех. інститут (1952). Відтоді працював у Фіз.-тех. інституті РАН; від 1987 – директор цього інституту, а від 1990 – віце-президент РАН. Голова Президії С.-Петербур. наук. центру РАН. Дослідж. у галузі фізики напівпровідників, напівпровідникової і квант. електроніки, фізики і технології напівпровідник. приладів. З його участю створ. перші в СРСР транзистори і фотодіоди, потужні германієві діоди. А. розробив метод створення напівпровідник. гетероструктур, які відкрили шлях до керованого конструювання зонної структури твердих тіл. Цей метод привів до розробки першого покоління наноелектрон. приладів. 1999 А. став одним з ініціаторів формування рос.-укр. програми досліджень у галузі нанофізики і наноелектроніки.
Пр.: Физика и жизнь. С.-Петербург, 2000.
Літ.: Физики.
Д. Т. Таращенко
Основні праці
Физика и жизнь. С.-Петербург, 2000.
Рекомендована література
- Физики.