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Provider: Schloss Dagstuhl - Leibniz Center for Informatics Database: dblp computer science bibliography Content:text/plain; charset="utf-8" TY - CPAPER ID - DBLP:conf/isscc/LeeLPPYKLKLKCCY16 AU - Lee, Seungjae AU - Lee, Jin-Yub AU - Park, Il-Han AU - Park, Jong-Yeol AU - Yun, Sung-Won AU - Kim, Minsu AU - Lee, Jong-Hoon AU - Kim, Min-Seok AU - Lee, Kangbin AU - Kim, Taeeun AU - Cho, Byungkyu AU - Cho, Dooho AU - Yun, Sangbum AU - Im, Jung-No AU - Yim, Hyejin AU - Kang, Kyung-Hwa AU - Jeon, Suchang AU - Jo, Sungkyu AU - Ahn, Yang-Lo AU - Joe, Sung-Min AU - Kim, Suyong AU - Woo, Deok-kyun AU - Park, Jiyoon AU - Park, Hyun Wook AU - Kim, Youngmin AU - Park, Jonghoon AU - Choi, Yongsu AU - Hirano, Makoto AU - Ihm, Jeong-Don AU - Jeong, Byunghoon AU - Lee, Seon-Kyoo AU - Kim, Moosung AU - Lee, Hokil AU - Seo, Sungwhan AU - Jeon, Hongsoo AU - Kim, Chan-ho AU - Kim, Hyunggon AU - Kim, Jintae AU - Yim, Yongsik AU - Kim, Hoosung AU - Byeon, Dae-Seok AU - Yang, Hyang-Ja AU - Park, Ki-Tae AU - Kyung, Kyehyun AU - Choi, Jeong-Hyuk TI - 7.5 A 128Gb 2b/cell NAND flash memory in 14nm technology with tPROG=640µs and 800MB/s I/O rate. BT - 2016 IEEE International Solid-State Circuits Conference, ISSCC 2016, San Francisco, CA, USA, January 31 - February 4, 2016 SP - 138 EP - 139 PY - 2016// DO - 10.1109/ISSCC.2016.7417945 UR - https://doi.org/10.1109/ISSCC.2016.7417945 ER - TY - CPAPER ID - DBLP:conf/isscc/LeeCYJJHPKYLMYLPKYKCKJCIKHPYLLKKSJCHKLJ12 AU - Lee, Daeyeal AU - Chang, Ik Joon AU - Yoon, Sangyong AU - Jang, Joonsuc AU - Jang, Dong-Su AU - Hahn, Wook-Ghee AU - Park, Jong-Yeol AU - Kim, Doo-Gon AU - Yoon, Chiweon AU - Lim, Bong-Soon AU - Min, ByungJun AU - Yun, Sung-Won AU - Lee, Ji-Sang AU - Park, Il-Han AU - Kim, Kyung-Ryun AU - Yun, Jeong-Yun AU - Kim, Youse AU - Cho, Yong-Sung AU - Kang, Kyung-Min AU - Joo, Sang-Hyun AU - Chun, Jin-Young AU - Im, Jung-No AU - Kwon, Seunghyuk AU - Ham, Seokjun AU - Park, Ansoo AU - Yu, Jae-Duk AU - Lee, Nam-Hee AU - Lee, Tae-Sung AU - Kim, Moosung AU - Kim, Hoosung AU - Song, Ki-Whan AU - Jeon, Byung-Gil AU - Choi, Kihwan AU - Han, Jin-Man AU - Kyung, Kyehyun AU - Lim, Youngho AU - Jun, Young-Hyun TI - A 64Gb 533Mb/s DDR interface MLC NAND Flash in sub-20nm technology. BT - 2012 IEEE International Solid-State Circuits Conference, ISSCC 2012, San Francisco, CA, USA, February 19-23, 2012 SP - 430 EP - 432 PY - 2012// DO - 10.1109/ISSCC.2012.6177077 UR - https://doi.org/10.1109/ISSCC.2012.6177077 ER - TY - JOUR ID - DBLP:journals/jssc/KangKHKPKKPJBJJ08 AU - Kang, Yong Hoon AU - Kim, Jin-Kook AU - Hwang, Sang Won AU - Kwak, Joon Young AU - Park, Jun-Yong AU - Kim, Daeyong AU - Kim, Chan Ho AU - Park, Jong-Yeol AU - Jeong, Yong-Taek AU - Baek, Jong Nam AU - Jeon, Su Chang AU - Jang, Pyungmoon AU - Lee, Sang Hoon AU - Lee, You-Sang AU - Kim, Min-Seok AU - Lee, Jin-Yub AU - Choi, Yun Ho TI - High-Voltage Analog System for a Mobile NAND Flash. JO - IEEE J. Solid State Circuits VL - 43 IS - 2 SP - 507 EP - 517 PY - 2008// DO - 10.1109/JSSC.2007.914327 UR - https://doi.org/10.1109/JSSC.2007.914327 ER -