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Provider: Schloss Dagstuhl - Leibniz Center for Informatics Database: dblp computer science bibliography Content:text/plain; charset="utf-8" TY - JOUR ID - DBLP:journals/jssc/LiuYSCLBYZYOSACGHKLMNPPSWYNTHMGTYOOTIF14 AU - Liu, Tz-Yi AU - Yan, Tian Hong AU - Scheuerlein, Roy AU - Chen, Yingchang AU - Lee, Jeffrey KoonYee AU - Balakrishnan, Gopinath AU - Yee, Gordon AU - Zhang, Henry AU - Yap, Alex AU - Ouyang, Jingwen AU - Sasaki, Takahiko AU - Al-Shamma, Ali AU - Chen, Chin-Yu AU - Gupta, Mayank AU - Hilton, Greg AU - Kathuria, Achal AU - Lai, Vincent AU - Matsumoto, Masahide AU - Nigam, Anurag AU - Pai, Anil AU - Pakhale, Jayesh AU - Siau, Chang Hua AU - Wu, Xiaoxia AU - Yin, Yibo AU - Nagel, Nicolas AU - Tanaka, Yoichiro AU - Higashitani, Masaaki AU - Minvielle, Tim AU - Gorla, Chandu AU - Tsukamoto, Takayuki AU - Yamaguchi, Takeshi AU - Okajima, Mutsumi AU - Okamura, Takayuki AU - Takase, Satoru AU - Inoue, Hirofumi AU - Fasoli, Luca TI - A 130.7-mm² 2-Layer 32-Gb ReRAM Memory Device in 24-nm Technology. JO - IEEE J. Solid State Circuits VL - 49 IS - 1 SP - 140 EP - 153 PY - 2014// DO - 10.1109/JSSC.2013.2280296 UR - https://doi.org/10.1109/JSSC.2013.2280296 ER - TY - CPAPER ID - DBLP:conf/isscc/LiuYSCLBYZYOSAACGHJKLMMNPPSWYPKHWNTHMGTYOOTHIFMSQ13 AU - Liu, Tz-Yi AU - Yan, Tian Hong AU - Scheuerlein, Roy AU - Chen, Yingchang AU - Lee, Jeffrey KoonYee AU - Balakrishnan, Gopinath AU - Yee, Gordon AU - Zhang, Henry AU - Yap, Alex AU - Ouyang, Jingwen AU - Sasaki, Takahiko AU - Addepalli, Sravanti AU - Al-Shamma, Ali AU - Chen, Chin-Yu AU - Gupta, Mayank AU - Hilton, Greg AU - Joshi, Saurabh AU - Kathuria, Achal AU - Lai, Vincent AU - Masiwal, Deep AU - Matsumoto, Masahide AU - Nigam, Anurag AU - Pai, Anil AU - Pakhale, Jayesh AU - Siau, Chang Hua AU - Wu, Xiaoxia AU - Yin, Ronald AU - Peng, Liping AU - Kang, Jang Yong AU - Huynh, Sharon AU - Wang, Huijuan AU - Nagel, Nicolas AU - Tanaka, Yoichiro AU - Higashitani, Masaaki AU - Minvielle, Tim AU - Gorla, Chandu AU - Tsukamoto, Takayuki AU - Yamaguchi, Takeshi AU - Okajima, Mutsumi AU - Okamura, Takayuki AU - Takase, Satoru AU - Hara, Takahiko AU - Inoue, Hirofumi AU - Fasoli, Luca AU - Mofidi, Mehrdad AU - Shrivastava, Ritu AU - Quader, Khandker TI - A 130.7mm² 2-layer 32Gb ReRAM memory device in 24nm technology. BT - 2013 IEEE International Solid-State Circuits Conference - Digest of Technical Papers, ISSCC 2013, San Francisco, CA, USA, February 17-21, 2013 SP - 210 EP - 211 PY - 2013// DO - 10.1109/ISSCC.2013.6487703 UR - https://doi.org/10.1109/ISSCC.2013.6487703 ER -