| dbo:abstract
|
- Ein Single Event Upset (SEU) ist ein Soft Error (deutsch „weicher“ Fehler), der in Halbleiterbauelementen beim Durchgang hochenergetischer ionisierender Teilchen (z. B. Schwerionen, Protonen) hervorgerufen werden kann. Er äußert sich beispielsweise als bitflip (Änderung des Zustandes eines Bits) in Speicherbausteinen oder Registern, was zu einer Fehlfunktion des betroffenen Bauteils führen kann. Die Klassifizierung als soft error rührt daher, dass ein SEU keinen dauerhaften Schaden am betroffenen Bauteil bewirkt. Ein Beispiel für einen hard error ist der Single Event Latch-up (SEL). (de)
- Single Event Upset (SEU) es un cambio de estado causado por una sola partícula ionizante (iones, electrones, fotones ...) que golpea un nodo sensible en un dispositivo microelectrónico, como por ejemplo un microprocesador, memoria de semiconductor o transistores de alimentación. El cambio de estado es el resultado de la carga libre creada por ionización dentro o cerca de un nodo importante de un elemento lógico (por ejemplo, "bit" de memoria). El error en la salida del dispositivo u operación causada como resultado del ataque se denomina SEU o soft error. La SEU por sí misma no se considera dañando permanentemente la funcionalidad del transistor o de los circuitos, a diferencia del sencillo event latchup (SEL), single event (SEGR), o el single event burnout (SEB). Todos estos son ejemplos de una clase general de efectos de radiación en dispositivos electrónicos llamados single event effects (SEE). (es)
- A single-event upset (SEU), also known as a single-event error (SEE), is a change of state caused by one single ionizing particle (ions, electrons, photons...) striking a sensitive node in a micro-electronic device, such as in a microprocessor, semiconductor memory, or power transistors. The state change is a result of the free charge created by ionization in or close to an important node of a logic element (e.g. memory "bit"). The error in device output or operation caused as a result of the strike is called an SEU or a soft error. The SEU itself is not considered permanently damaging to the transistor's or circuits' functionality unlike the case of single-event latch-up (SEL), single-event (SEGR), or single-event burnout (SEB). These are all examples of a general class of radiation effects in electronic devices called single-event effects (SEEs). (en)
- Une perturbation par une particule isolée (PPI) (en anglais : Single event upset) est un changement d'état provoqué par une seule particule ionisante (ions, électrons, photons ...) frappant un nœud sensible dans un dispositif microélectronique, comme dans un microprocesseur, une , ou transistors de puissance. Le changement d'état est le résultat de la charge libre créée par ionisation dans ou à proximité d'un nœud important d'un élément logique (par exemple dans un "bit" de mémoire). L'erreur de la donnée de sortie ou du fonctionnement de l'appareil causée par cette impact est appelée perturbation par une particule isolée ou . Une perturbation par une particule isolée en elle-même n'est pas considérée comme endommageant de façon permanente la fonctionnalité du transistor ou des circuits contrairement au cas du , d’une isolée ou d’un claquage isolé. Ce sont tous des exemples d'une classe générale d'effets de rayonnement dans les appareils électroniques appelés effets à événement unique (EEU). (fr)
- 单粒子翻转英文缩写SEU（Single-Event Upsets），航天电子学术语，原因是在空间环境下存在着大量高能带电粒子，计算机中的CMOS电子元器件受到地球磁场、宇宙射线等照射，引起电位状态的跳变，“0”变成“1”，或者“1”变成“0”，但一般不会造成器件的物理性损伤。 单粒子翻转指标用单粒子翻转率来描述，单粒子翻转率是器件每天每位发生单粒子翻转的概率，计算质子单粒子翻转率的一般性公式： 其中：为阈值能量，单位MeV；为质子单粒子翻转截面积，单位；为质子微分流量。 (zh)
- Порушення в результаті одиничної події (англ. Single Event Upset, SEU), також відоме як помилка в результаті однієї події (англ. Single Event Error, SEE), є зміною стану, викликаною однією іонізуючою частинкою (іонами, електронами, фотонами…), що вражає чутливий вузол мікроелемента, електронні пристрої, такі як мікропроцесор, напівпровідникова пам'ять або транзистори. Зміна стану є результатом вільного заряду, створеного іонізацією у важливому вузлі логічного елемента або поблизу нього (наприклад, «біт» пам'яті). Помилка виводу або роботи пристрою, викликана в результаті удару, називається SEU або . (uk)
|
| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 14194 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dct:subject
| |
| rdfs:comment
|
- Ein Single Event Upset (SEU) ist ein Soft Error (deutsch „weicher“ Fehler), der in Halbleiterbauelementen beim Durchgang hochenergetischer ionisierender Teilchen (z. B. Schwerionen, Protonen) hervorgerufen werden kann. Er äußert sich beispielsweise als bitflip (Änderung des Zustandes eines Bits) in Speicherbausteinen oder Registern, was zu einer Fehlfunktion des betroffenen Bauteils führen kann. Die Klassifizierung als soft error rührt daher, dass ein SEU keinen dauerhaften Schaden am betroffenen Bauteil bewirkt. Ein Beispiel für einen hard error ist der Single Event Latch-up (SEL). (de)
- 单粒子翻转英文缩写SEU（Single-Event Upsets），航天电子学术语，原因是在空间环境下存在着大量高能带电粒子，计算机中的CMOS电子元器件受到地球磁场、宇宙射线等照射，引起电位状态的跳变，“0”变成“1”，或者“1”变成“0”，但一般不会造成器件的物理性损伤。 单粒子翻转指标用单粒子翻转率来描述，单粒子翻转率是器件每天每位发生单粒子翻转的概率，计算质子单粒子翻转率的一般性公式： 其中：为阈值能量，单位MeV；为质子单粒子翻转截面积，单位；为质子微分流量。 (zh)
- Порушення в результаті одиничної події (англ. Single Event Upset, SEU), також відоме як помилка в результаті однієї події (англ. Single Event Error, SEE), є зміною стану, викликаною однією іонізуючою частинкою (іонами, електронами, фотонами…), що вражає чутливий вузол мікроелемента, електронні пристрої, такі як мікропроцесор, напівпровідникова пам'ять або транзистори. Зміна стану є результатом вільного заряду, створеного іонізацією у важливому вузлі логічного елемента або поблизу нього (наприклад, «біт» пам'яті). Помилка виводу або роботи пристрою, викликана в результаті удару, називається SEU або . (uk)
- Single Event Upset (SEU) es un cambio de estado causado por una sola partícula ionizante (iones, electrones, fotones ...) que golpea un nodo sensible en un dispositivo microelectrónico, como por ejemplo un microprocesador, memoria de semiconductor o transistores de alimentación. El cambio de estado es el resultado de la carga libre creada por ionización dentro o cerca de un nodo importante de un elemento lógico (por ejemplo, "bit" de memoria). El error en la salida del dispositivo u operación causada como resultado del ataque se denomina SEU o soft error. (es)
- Une perturbation par une particule isolée (PPI) (en anglais : Single event upset) est un changement d'état provoqué par une seule particule ionisante (ions, électrons, photons ...) frappant un nœud sensible dans un dispositif microélectronique, comme dans un microprocesseur, une , ou transistors de puissance. Le changement d'état est le résultat de la charge libre créée par ionisation dans ou à proximité d'un nœud important d'un élément logique (par exemple dans un "bit" de mémoire). L'erreur de la donnée de sortie ou du fonctionnement de l'appareil causée par cette impact est appelée perturbation par une particule isolée ou . (fr)
- A single-event upset (SEU), also known as a single-event error (SEE), is a change of state caused by one single ionizing particle (ions, electrons, photons...) striking a sensitive node in a micro-electronic device, such as in a microprocessor, semiconductor memory, or power transistors. The state change is a result of the free charge created by ionization in or close to an important node of a logic element (e.g. memory "bit"). The error in device output or operation caused as a result of the strike is called an SEU or a soft error. (en)
|
| rdfs:label
|
- Single Event Upset (de)
- Single event upset (es)
- Perturbation par une particule isolée (fr)
- Single-event upset (en)
- Порушення в результаті одиничної події (uk)
- 单粒子翻转 (zh)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
